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下置四靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜、半導(dǎo)體薄膜、陶瓷薄膜、介質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜

分體式高真空雙靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜等。該雙靶磁控濺射鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備。

桌面型磁控濺射鍍膜儀下置靶槍是一種物理氣相沉積設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電子、顯示技術(shù)和表面工程等領(lǐng)域。該設(shè)備采用磁控濺射技術(shù)，通過(guò)磁場(chǎng)增強(qiáng)離子化效率，從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量、均勻的薄膜沉積。

雙靶磁控濺射鍍膜儀可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導(dǎo)電薄膜、合金薄膜等。該鍍膜儀與同類設(shè)備相比，其不僅應(yīng)用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點(diǎn)，是一款實(shí)驗(yàn)室制備材料薄膜的理想設(shè)備

本設(shè)備為傾斜樣品臺(tái)式單靶磁控鍍膜儀，樣品臺(tái)與靶面的角度可調(diào)，可用于制作特定生長(zhǎng)角度的薄膜。設(shè)備外形為桌面級(jí)別，大大減少了安裝場(chǎng)地需求。設(shè)備配有一個(gè)直流電源，可用于金屬及其他導(dǎo)電材料的濺射。設(shè)備真空系統(tǒng)采用渦輪分子泵組，抽氣速度快，極限真空度高，真空性能優(yōu)異。本設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊功能完善便于使用，非常適合用于各類鍍膜試驗(yàn)。

往復(fù)樣品臺(tái)單靶磁控鍍膜儀是一款緊湊高效的實(shí)驗(yàn)室級(jí)鍍膜設(shè)備，采用磁控濺射技術(shù)，可在真空環(huán)境下實(shí)現(xiàn)金屬、合金、氧化物等多種材料的均勻鍍膜。桌面型單靶磁控鍍膜儀小型化設(shè)計(jì)適合科研院所、高校實(shí)驗(yàn)室及企業(yè)研發(fā)中心，滿足小樣品鍍膜需求，兼顧高精度、操作便捷和低成本的特點(diǎn)