本設(shè)備為傾斜樣品臺(tái)式單靶磁控鍍膜儀，樣品臺(tái)與靶面的角度可調(diào)，可用于制作特定生長(zhǎng)角度的薄膜。設(shè)備外形為桌面級(jí)別，大大減少了安裝場(chǎng)地需求。設(shè)備配有一個(gè)直流電源，可用于金屬及其他導(dǎo)電材料的濺射。設(shè)備真空系統(tǒng)采用渦輪分子泵組，抽氣速度快，極限真空度高，真空性能優(yōu)異。本設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊功能完善便于使用，非常適合用于各類鍍膜試驗(yàn)。

產(chǎn)品型號(hào)：CY-MSZ180-60Q-I-DC-Q
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時(shí)間：2025-11-16
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本設(shè)備為傾斜樣品臺(tái)式單靶磁控鍍膜儀，樣品臺(tái)與靶面的角度可調(diào)，可用于制作特定生長(zhǎng)角度的薄膜。設(shè)備外形為桌面級(jí)別，大大減少了安裝場(chǎng)地需求。設(shè)備配有一個(gè)直流電源，可用于金屬及其他導(dǎo)電材料的濺射。設(shè)備真空系統(tǒng)采用渦輪分子泵組，抽氣速度快，極限真空度高，真空性能優(yōu)異。本設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊功能完善便于使用，非常適合用于各類鍍膜試驗(yàn)。

傾斜樣品臺(tái)式單靶磁控技術(shù)參數(shù)：

產(chǎn)品名稱	傾斜樣品臺(tái)式單靶磁控鍍膜儀
產(chǎn)品型號(hào)	CY-MSZ180-60Q-I-DC-Q
樣品臺(tái)	外形尺寸	φ60mm
	加熱溫度	≦500℃
	可調(diào)轉(zhuǎn)速	≦20rpm
磁控靶槍	配一支兩英寸磁控靶，靶材尺寸:直徑50.8mm，厚度≦3mm
真空腔體	腔體尺寸	φ180mm X215mm
	觀察窗口	全向透明
	腔體材料	高純石英
	開(kāi)啟方式	上蓋拆卸式
真空系統(tǒng)	前級(jí)泵	低噪音雙極旋片泵
	分子泵	低噪音大抽速渦輪分子泵
	真空測(cè)量	復(fù)合真空計(jì)，量程:10^-5~10⁵Pa
	抽氣接口	KF16
	抽氣接口	KF40
	排氣接口	KF16
	系統(tǒng)真空	1.0×10^-4Pa
	供電電源	AC 220V 50/60Hz
	抽氣速率	分子泵抽速600L/s，前級(jí)泵抽速1.1L/s
電源配置	電源數(shù)量	直流電源一套
電源配置	輸出功率	500W
其他參數(shù)	供電電壓	AC220V,50Hz
	整機(jī)功率	2kW
	整機(jī)尺寸	550mm X 350mm X400mm

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