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半導(dǎo)體PECVD設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進(jìn)反應(yīng)過(guò)程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽(yáng)電池器件，可廣泛應(yīng)用于大專(zhuān)院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備

半導(dǎo)體CVD設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜。