半導(dǎo)體CVD設(shè)備采用等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學(xué)玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。

半導(dǎo)體CVD設(shè)備主要功能及特點：
PECVD設(shè)備利用平板電容式輝光放電原理，將通入沉積室的工藝氣體解離并產(chǎn)生等離子體，被解離的基團(tuán)在等離子體中重新發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，由于等離子體存在，促進(jìn)氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離，促進(jìn)反應(yīng)活性基團(tuán)的生成，從而降低沉積溫度，在具有一定溫度的基片上沉積形成薄膜?？筛鶕?jù)工藝調(diào)節(jié)等離子體的密度和能量，控制薄膜的生長速率和微結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品參數(shù)：