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兩通道CVD氣相沉積系統(tǒng)帶水冷法蘭雙路流量計并配有雙極旋片泵、水冷機、數(shù)字真空計且該CVD系統(tǒng)可抽真空、通氣氛用于各種CVD實驗。

1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)主要由：材料加熱、真空獲取、氣體測量和等離子發(fā)生器四大部分構(gòu)成?？梢詽M足日常的大多數(shù)CVD實驗和各種科研要求。該CVD系統(tǒng)是材料制備過程中的理想之選。

三溫區(qū)1600 CVD氣相沉積系統(tǒng)主要用于真空燒結(jié)、氣氛保護性燒結(jié)、真空鍍膜 各種材料煅燒、需要溫度梯度的各種CVD實驗

1200℃單溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng)是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。

1200℃高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。

1200℃雙溫區(qū)高真空CVD氣相沉積系統(tǒng) 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是：將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。