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當(dāng)前位置:首頁  >  產(chǎn)品中心  >    >  CVD氣相沉積系統(tǒng)  >  CY-CVD1200-60-220-3TH-Q1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)

1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)
簡要描述:

1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)主要由:材料加熱、真空獲取、氣體測量和等離子發(fā)生器四大部分構(gòu)成。可以滿足日常的大多數(shù)CVD實驗和各種科研要求。該CVD系統(tǒng)是材料制備過程中的理想之選。

  • 產(chǎn)品型號:CY-CVD1200-60-220-3TH-Q
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時間:2025-11-17
  • 訪  問  量:193

詳細(xì)介紹

品牌CYKY

化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD) 是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術(shù)。其核心原理是:將含有構(gòu)成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應(yīng)物通入反應(yīng)室,在基片(如硅片)表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并生成固態(tài)薄膜沉積下來。

1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)設(shè)計緊湊,使用方便。特別是豐富的圖文界面,即使您是**操作,該系統(tǒng)也能順利引導(dǎo)您很快掌握該CVD系統(tǒng)的使用和操作,您根本無需專業(yè)學(xué)習(xí),為您節(jié)省大量的科研時間,真正做到事倍功半!  

產(chǎn)品特點:  

1、豐富的圖文信息:全尺寸液晶圖文界面  

2、系統(tǒng)高度集成:各個部分均由軟件協(xié)同進(jìn)行數(shù)據(jù)采集、交換、處理、輸出  

3、可使實驗步驟程序化、自動化  


1200℃三通道CVD氣相沉積系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):


項目

明細(xì)

供電電壓

AC220V,50Hz

MAX功率

5KW

加熱溫區(qū)

220mm+440mm+220mm

工作溫度

1100℃ (1200℃<1h)

控溫精度

±1℃

升溫速率

建議≤10℃/min

控溫方式

AI-PID 30段工藝曲線,可存儲多條

三溫區(qū)獨立控制,帶有過熱和斷偶保護(hù)

爐管材質(zhì)

高純石英

爐管尺寸

φ60mm O.D×1300mm L

氣體通道

三通道質(zhì)量流量計

氣體量程

A:100sccm   B:300sccm  C:500sccm

系統(tǒng)真空

5~10Pa(如需更高真空度可以選配其他的泵)


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