真空系統(tǒng)配置  

復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥  

極限壓力  

2.0 * 10^-5 Pa （經(jīng)烘烤除氣后）  

恢復(fù)真空時間：  

40 分鐘可達(dá)到6 .6*10^-4 Pa 。（系統(tǒng)短時間暴露大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_始抽氣）  

磁控靶組件  

永磁靶5套；靶材尺寸Ø60mm（其中一個可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；靶與樣品距離 90~130mm可調(diào)；  

基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺  

基片結(jié)構(gòu)  

設(shè)計(jì)6個工位，其中１個工位安裝加熱爐，其余工位為水冷基片臺  

樣品尺寸  

Ø30mm，可放置6片  

運(yùn)動方式  

0˜360℃往復(fù)回轉(zhuǎn)  

加熱  

基片加熱*高溫度600℃±1℃  

基片負(fù)偏壓  

－200Ｖ  

氣路系統(tǒng)  

質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路  

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)  

控制樣品轉(zhuǎn)動，擋板開關(guān)，靶位確認(rèn)等  

設(shè)備占地面積  

主機(jī)  

1300×800mm²  

電控柜  

700×700m²