真空系統(tǒng)配置  

復(fù)合分子泵、機(jī)械泵、閘板閥  

極限壓力  

≦6.67*10^-5 Pa （經(jīng)烘烤除氣后）  

恢復(fù)真空時(shí)間  

40 分鐘可達(dá)到6 .6*10^-4 Pa 。（系統(tǒng)短時(shí)間暴露大氣并充入干燥氮?dú)夂箝_始抽氣）  

磁控靶組件  

永磁靶三套；靶材尺寸?60mm（其中一個(gè)可濺射磁性材料）；各靶射頻灘射和直流裁射兼容；靶內(nèi)水冷；三個(gè)靶可共同折向上面的樣品中心；靶與樣品距離 90~110mm可調(diào)；當(dāng)直接向上濺射時(shí)，靶與樣品距離40~80mm可調(diào)  

基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(tái)  

基片結(jié)構(gòu)  

基片加熱與水冷獨(dú)立工作，取下加熱爐可以換上水冷基片臺(tái)  

樣品尺寸  

?30mm  

運(yùn)動(dòng)方式  

基片可連續(xù)回轉(zhuǎn)，轉(zhuǎn)速 5~10 轉(zhuǎn)／分  

加熱  

基片加熱*高溫度600℃±1℃  

基片負(fù)偏壓  

－200V  

氣路系統(tǒng)  

質(zhì) 量 流 量 控制器 2 路  

計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)  

控制樣品轉(zhuǎn)動(dòng)，擋板開關(guān)，靶位確認(rèn)等  

可選配件6工位基片加熱公轉(zhuǎn)臺(tái)  

拆下單基片水冷加熱臺(tái)可以換上該轉(zhuǎn)臺(tái)?？赏瑫r(shí)放置6片30mm的基片；6個(gè)工位中，其中一個(gè)工位安裝加熱爐，其余工位為自然冷卻基片臺(tái)；基片加熱*高溫度600℃ ±1℃  

設(shè)備占地面積  

主機(jī)  

I300×800mm²  

電控柜  

70×700m²