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當(dāng)前位置:首頁(yè)  >  產(chǎn)品中心  >    >  PECVD氣相沉積系統(tǒng)  >  CY-PECVD50R-1200-Q二氧化硅薄膜沉積等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)

二氧化硅薄膜沉積等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)
簡(jiǎn)要描述:

二氧化硅薄膜沉積等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器,三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng)。

  • 產(chǎn)品型號(hào):CY-PECVD50R-1200-Q
  • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間:2025-11-17
  • 訪  問(wèn)  量:237

詳細(xì)介紹

品牌CYKY

產(chǎn)品介紹:

二氧化硅薄膜沉積等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器,三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),因而這種CVD稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD), 該P(yáng)ECVD石墨烯薄膜制備設(shè)備借助13.56Mhz的射頻輸出等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在真空腔體內(nèi)形成等離子體,利用等離子的強(qiáng)化學(xué)活性,改善反應(yīng)條件,利用等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),在基片上沉積出所期望的薄膜。

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)適用范圍:

等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)可以用于:石墨烯制備、硫化物制備、納米材料制備等多種試驗(yàn)場(chǎng)所??稍谄瑺罨蝾愃菩螤顦悠繁砻娉练eSiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、裝飾等領(lǐng)域。

二氧化硅薄膜沉積等離子增強(qiáng)CVD系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):

區(qū)

產(chǎn)品型號(hào)

CY-PECVD50R-1200-Q

爐管材質(zhì)

高純石英

爐管直徑

50mm

爐管長(zhǎng)度

2830mm

爐膛長(zhǎng)度

660mm

加熱區(qū)長(zhǎng)

200mm+200mm+200mm

工作溫度

0~1100℃

控溫精度

±1℃

控溫模式

30段或50段程序控溫

顯示模式

LCD

密封方式

304不銹鋼真空法蘭

法蘭接口

1/4英寸卡套接頭,KF16/25/40接頭

可抽真空

4.4E-3Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

區(qū)

產(chǎn)品型號(hào)

CY-O1200-50IT

爐管材質(zhì)

高純石英

爐管直徑

50mm

爐管長(zhǎng)度

2830mm

爐膛長(zhǎng)度

440mm

加熱區(qū)長(zhǎng)

400mm

恒溫區(qū)長(zhǎng)

200mm

工作溫度

0~1100℃

控溫精度

±1℃

控溫模式

30段或50段程序控溫

顯示模式

LCD

密封方式

304不銹鋼真空法蘭

法蘭接口

1/4英寸卡套接頭,KF16/25/40接頭

可抽真空

4.4E-3Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

RF

統(tǒng)

功率范圍

0~500W可調(diào)

工作頻率

13.56MHz+0.005%

工作模式

連續(xù)輸出

顯示模式

LCD

匹配阻抗模式

能夠匹配,起輝均勻布滿三溫區(qū)爐管

功率穩(wěn)定度

≤2W

正常工作反射功率

≤3W

放大反射功率

≤70W

諧波分量

≤-50dBc

整機(jī)效率

≥70%

功率因素

≥90%

供電電壓/頻率

單相交流(187V~153V) 頻率50/60Hz

控制模式

內(nèi)控/PLC 模擬量/RS232/485通訊

電源保護(hù)設(shè)置

DC過(guò)流保護(hù),功放過(guò)溫保護(hù),反射功率保護(hù)

冷卻方式

強(qiáng)制風(fēng)冷

起輝長(zhǎng)度

在Ar下射頻電源與線圈配合起輝輝光能布滿三個(gè)溫區(qū)的爐體長(zhǎng)度

統(tǒng)

四路質(zhì)子流量計(jì)

質(zhì)子流量計(jì)

流量范圍

MFC1量程:0~200sccm  MFC2量程:0~200sccm

MFC3量程:0~500sccm  MFC4量程:0~500sccm

分別對(duì)應(yīng)氣體H2、 CH4、 N2、 Ar

測(cè)量精度

±1.5%F.S

重復(fù)精度

±0.2%FS

線性精度

±1%F.S

響應(yīng)時(shí)間

≤4s

工作壓力

-0.15Mpa~0.15Mpa

流量控制

液晶觸摸屏控制,數(shù)字顯示,每路氣體含有針閥單獨(dú)控制

進(jìn)氣接口

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管

出氣接口

可接1/4NPS或者外徑6mm不銹鋼管

連接方式

雙卡套接頭

工作溫度

5~45℃

氣體預(yù)混

配氣體預(yù)混裝置

供電電源

AC:220V 50/60Hz

統(tǒng)

機(jī)械泵

旋片泵

抽氣速率

1.1L/S

排氣接口

KF16

真空測(cè)量

電阻規(guī)

極限真空

1.0E-1Pa

供電電源

AC:220V 50/60Hz

抽氣接口

KF16

軌道

軌道長(zhǎng)度

3米,能實(shí)現(xiàn)三溫區(qū)爐子一個(gè)爐位長(zhǎng)度的滑動(dòng),實(shí)現(xiàn)快速升降溫

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