簡單介紹：

鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)，可實現(xiàn)真正的基底溫度測量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補償，溫度控制**，溫度重復(fù)性高，客戶包括國際上許多半導(dǎo)體公司及科研團隊，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。

技術(shù)特色：

 • 真正的基片溫度測量，無需傳統(tǒng)的溫度補償

• 紅外鹵素管燈加熱

• 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性

• 快速數(shù)字PID溫度控制

• 不銹鋼冷壁真空腔室

• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

• 結(jié)構(gòu)緊湊，小型桌面系統(tǒng)

• 帶觸摸屏的PC控制

• 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

• *高3路氣體（MFC控制）

• 沒有交叉污染，沒有金屬污染

真實基底溫度測量技術(shù)介紹:

如上圖，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離，測量的不是基片真實的溫度，必須進行溫度補償。

  采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進行測溫，如上圖，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達樣品表面，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時被加熱，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會進行熱量傳遞，并很快達到熱平衡，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實的溫度，從而實現(xiàn)基片溫度的真實測量。

技術(shù)參數(shù)：