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1200℃光學薄膜CVD氣相沉積設備是一種用于制備高性能固體材料薄膜的技術。其核心原理是：將含有構成薄膜元素的一種或幾種氣態(tài)反應物通入反應室，在基片（如硅片）表面發(fā)生化學反應，并生成固態(tài)薄膜沉積下來。

迷你石墨烯CVD氣相沉積設備專為石墨烯生產(chǎn)設計配有高精度質量流量計以及薄膜真空規(guī)。迷你石墨烯CVD設備同時設備配有可燃氣體檢測裝置，聯(lián)動出氣口電磁閥，一旦出現(xiàn)泄漏電磁閥即可自行關閉保證**。

1200℃高真空迷你CVD氣相沉積設備核心是一款迷你管式爐，采用電阻絲加熱。1200℃高真空迷你CVD設備包含一臺三路浮子流量計，一臺分子泵組，分別構成了CVD的進氣和出氣部分

晶圓級PECVD氣相沉積設備大尺寸二硫化鉬制備CVD設備包括三溫區(qū)管式爐，特殊設計的爐管及配套氣路一組，晶圓級大尺寸二硫化鉬制備CVD設備通過特殊設計的管路，能夠將反應氣體均勻的釋放于爐管。

R-PECVD?等離子增強CVD氣相沉積設備由旋轉及傾斜機構、單溫區(qū)管式爐、等離子發(fā)生機構、質量流量計供氣系統(tǒng)、高真空分子泵組部分構成。R-PECVD真空旋轉等離子增強CVD設備利用旋轉和傾斜機構實現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)，并且可以使顆粒型樣品表面均勻生長產(chǎn)物。

三溫區(qū)PECVD氣相沉積石墨烯制備由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強CVD系統(tǒng)為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）。